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　　一般是利用I对V的偏导求。

　　注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

　　case1：VdsMOS处于线形区，

　　Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]

　　然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

　　case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，

　　Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]

　　同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5[]^x代表[]的内容的x次方。

　　跨导简介：

　　线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。

　　在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。

　　BSG0811ND的参数

　　制造商: Infineon

　　产品种类: MOSFET

　　RoHS:  详细信息

　　技术: Si

　　安装风格: SMD/SMT

　　封装 / 箱体: TISON-8

　　通道数量: 2 Channel

　　晶体管极性: N-Channel

　　Vds-漏源极击穿电压: 25 V

　　Id-连续漏极电流: 50 A

　　Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms, 700 uOhmsVgs - 栅极-源极电压: 16 VVgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

　　Qg-栅极电荷: 8.4 nC, 29 nC

　　最小工作温度: - 55 C

　　最大工作温度: + 150 C

　　Pd-功率耗散: 6.25 W

　　配置: Dual

　　通道模式: Enhancement

　　商标名: OptiMOS

　　封装: Cut Tape

　　封装: MouseReel

　　封装: Reel

　　高度: 1.15 mm

　　长度: 6 mm

　　系列: OptiMOS 5

　　晶体管类型: 2 N-Channel

　　宽度: 5 mm

　　商标: Infineon Technologies

　　正向跨导 - 最小值: 46 S, 90 S

　　下降时间: 1.4 ns, 2.6 ns

　　产品类型: MOSFET

　　上升时间: 4.7 ns, 4.3 ns

　　工厂包装数量: 5000

　　子类别: MOSFETs

　　典型关闭延迟时间: 4.3 ns, 8.8 ns

　　典型接通延迟时间: 4.3 ns, 5.6 ns

　　零件号别名: BSG0811NDATMA1 SP001075902

　　单位重量: 230 mg