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产品概述

IMZA120R014M1H 采用TO247-4封装的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势。

特征

出类拔萃的开关损耗和导通损耗

高阈值电压，Vth > 4 V

0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动

宽栅源电压范围

坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关

关断损耗受温度影响小

.XT扩散焊技术，可实现一流的热性能

参数：IMZA120R014M1H（IMZA120R014M1HXKSA1）

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：127A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18.4 毫欧 @ 54.3A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 23.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4580 nF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：455W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO247-4-8

封装/外壳：TO-247-4

(回收、供应)IMZA120R014M1H、IMZA120R014M1HXKSA1 N型 1200 V 127A  PG-TO247-4-8。

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