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这款MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与器件性能、可靠性和易用性等特性相结合。该器件采用最先进的沟槽半导体工艺，在应用中损耗最低，运行可靠性最高。CoolSiC非常适合用于高温和恶劣环境应用。

应用

服务器、电信、SMPS、太阳能系统、储能、电池形成、UPS、EV充电、电机驱动器

参数规格：IMW65R107M1H（IMW65R107M1HXKSA1）

描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

FET 类型：N沟道

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：75 W

工作温度：-55 °C ~ 150 °C

封装：TO247-3

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